Vikipedi
Dördüncü temel devre elemanı. HP Laboratuvarlarında bulunan bu eleman akı ile yük arasındaki bağıntıyı etkilemektedir. (Resistör gerilim ile akım, kapasitör gerilim ile yük, indüktör akı ile akım arasındaki bağıntıda iş görmektedir.).
Memistorün en önemli üzerinden geçen akım değişikliğini unutmaması ve enerji harcamadan saklayabilmesidir. Bu özelliğiyle bilişim alanında hafıza birimlerinin üretiminde kullanılacak gibi görülüyor. Bir yonga üzerinde 100GB veriyi normal bir RAM hızında saklayabileceği söylentisi bulunmaktadır.
Şimdiki hafıza saklama sistemlerinden RAM hem karmaşık yapısı, hem de yüksek enerji harcamasından dolayı sıkıntı yaratırken, FLASH bellekler bekleme konumunda enerji harcamamakla beraber düşük hıza sahiptirler.
Yapı olarak iki ince TiO (Titanyum oksit) katmanı arasından tel geçirmeye dayalı olan elemanın memistor özelliği gösterebilmesi için nano düzeyinde olması gerekmektedir. 30 yıl önce teorisi kurulmuş olmasına rağmen şimdiye kadar bulunamaması, özelliğin bu kadar düşük boyutlarda kendini göstermesine bağlanıyor.