Kelime tanımını bul

Vikipedi
SRAM

Durağan Rastgele Erişimli Bellek (İngilizce: Static Random Access Memory), yarı-iletken bir bellek türüdür.

Durağan (“static”) kelimesi, sürekli tazelenmesi gereken devingen RAM’in ( DRAM) aksine, belleğe güç verildiği sürece belleğin içeriğini koruduğunu belirtir (Bununla beraber, SRAM, salt okunur bellek ROM ve flaş bellek ile karıştırılmamalıdır).

Rastgele Erişim (“Random access”) hafızanın içerdiği konumlara, daha önce erişilmiş olan konumlara bakılmaksızın erişilebileceğini yani yazılıp okunabileceğini belirtir.

SRAM içindeki her bit; her biri, iki adet çapraz eşlenmiş tersleyici(inverter) oluşturan transistörlerden dört tanesi üzerine kurulmuştur. Bu hafıza hücresi(bit), genelde “1” ve “0” ifade etmek için kullanılan iki durağan duruma sahiptir. İki adet fazladan erişim (access) transistörü, okuma ve yazma işlemleri sırasında hafıza hücresine erişimi denetlemek üzere hizmet verirler. Bir hafıza hücresini (bit) saklamak için özellikle altı adet MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) gerekmektedir.(4: okuma-yazma 2: erişim)

Bakışımlı (simetrik) devre yapısı bir hafıza konumdaki değerin DRAM’e göre çok daha hızlı okunmasına olanak tanır. SRAM’in daha hızlı olmasını sağlayan, DRAM’le arasındaki bir başka fark ise tüm adres bitlerini bir kerede alan özel çiplerdir. Buna karşılık DRAM’lerin sahip olduğu yarar iki yarım parça halinde çoklanmış adresler kullanmasıdır. İki parça halinde çoklanması demek aynı paket içerisindeki pinler üzerinde, boyutları ve maliyeti düşürmek üzere küçük değerli bitlerin yüksek değerli bitleri izlemesi demektir.

SRAM, synchronous (zamanuyumlu) DRAM anlamında olan SDRAM ile karıştırılmamalıdır. SDRAM tamamen SRAM’den farklıdır. Ayrıca pseudostatic (pseudo: yalancı static: durağan) RAM (PSRAM) denen, kendini SRAM’miş gibi maskeleyen DRAM’le karıştırılmamalıdır.